WST2007
The WST2007 是性能最高的沟道P型栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2007 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。
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WST3078
The WST3078 是性能最高的沟槽N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs），具有极高的单元密度。它提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关应用和负载切换应用。The WST3078 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2078
WST2078是具有最高性能的沟槽N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极端高的单元密度。它提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST2078符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2033
WST2033是一款高性能、环保、应用广泛的电子元器件，适用于大多数小功率开关和负载开关应用。详情/PDF下载 -
WST05P06
WST05P06是性能最高的沟槽P型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极端高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(on)（导通电阻）和门控电流。WST05P06符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3035
WST3035是一款具有极高性能的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它采用了先进的高单元密度沟槽技术，具有极高的单元密度，从而能够提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。这使得WST3035非常适合用于大多数同步整流器转换器应用。详情/PDF下载 -
WST2035
WST2035是具有最高性能的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极端高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST2035符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST4044
WST4044是性能最高的沟槽型双N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极端高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST4044符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并经过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3392
WST3392是具有最高性能的沟槽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST3392符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST8205
WST8205是性能最高的沟槽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST8205符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST02N20
WST02N20是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET，适用于各种电子设备中的电源管理、电机控制、负载开关等领域。详情/PDF下载 -
WST6045
The WST6045 是性能最高的沟槽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(on)和栅极电荷。The WST6045 符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST03P10
WST03P10是具有最高性能的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST03P10符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并经过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST03P06
WST30P06是性能最高的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST30P06符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST4041
WST4041 是性能最高的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（P-ch MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST4041 符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并经过全面的功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2307
The WST2307 是性能最高的沟槽型P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2307 符合RoHS和绿色产品要求，并具有完整的功能可靠性认可。详情/PDF下载 -
WST2333A
The WST2333A 是性能最高的、具有极高单元密度的沟槽型P沟道MOSFET，它能为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。The WST2333A 符合RoHS和绿色产品要求，功能齐全，可靠性经过验证。详情/PDF下载 -
WST02N20B
WST02N20B是一款高性能、高稳定性的N沟道场效应管，适用于各种电子设备中的电源管理和信号处理电路。详情/PDF下载 -
WST05N10L
WS05N10L是具有最高性能的沟槽N型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WS05N10L满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST02N30
WST02N30是硅N通道增强型VDMOSFETs，采用自对齐平面技术制造，该技术能够减少导通损失，提高开关性能，并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源切换电路，以实现系统调节和更高的效率。详情/PDF下载
