WST6066
WST6066是一款高性能的N沟道场效应晶体管，具有优异的电气特性和广泛的应用领域。
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WST4040
WST4040是具有极高性能的沟槽N型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷，是大多数同步降压转换器应用的最佳选择。WST4040满足RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3400
WST3400是具有最高性能的沟槽N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的栅极密度（超过3400个栅极/毫米），可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST3400满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3403
WST3403是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单位面积密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极充电量。WST3403满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST6402
WST6402是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的栅极密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST6402满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2337
WST2337是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST2337满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST02N10A
WST02N10A是一款高性能、高可靠性的N沟道场效应晶体管，适用于多种电子应用。详情/PDF下载 -
WST2N7002A
WST2N7002A是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的晶体管密度，能够为大多数小功率开关和负载切换应用提供极佳的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极充电量。WST2N7002A满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3400S
WST3400S是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST3400S满足RoHS和绿色产品要求，并具有全面的功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2304
WST2304是具有极高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可提供极佳的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小型功率开关和负载切换应用。WST2304满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR70P10
WSR70P10是一款高性能的P沟道场效应晶体管，具有出色的RDS(ON)和栅极电荷性能，适用于多种小功率开关和负载开关应用。详情/PDF下载 -
WSR45P10
WSR45P10是一款性能极高的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDS(ON)和栅极电荷。WSR45P10符合RoHS和绿色产品要求，并已经通过了完全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR38P10
WSR38P10是具有极高性能的沟槽P型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极电荷。WSR38P10符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过了完全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR18P10
WSR18P10是性能最高的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和门控电荷。WSR18P10符合RoHS和绿色产品要求，并通过了完全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR98P06
WSR98P06是一款高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的Rds(on)（导通电阻）和门控充电能力。WSR98P06符合RoHS和绿色产品要求，拥有100% EAS保证，并已经通过了完全功能可靠性批准。详情/PDF下载 -
WSR80P06
WSR88P06采用先进的沟槽技术，并设计以提供极低的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。它可广泛应用于各种领域。详情/PDF下载 -
WSR58P06
WSR58P06是一款性能卓越、具有极高单元密度的沟槽P沟道MOSFET。它提供了出色的Roson和栅极充电能力，适用于大多数同步降压转换器应用。WSR58P06符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已经通过了完全功能可靠性批准。详情/PDF下载 -
WSR30N65C
WSR30N65C系列设备采用先进的Trench Gate Super Junction（沟道超结）技术和设计，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这款超结MOSFET满足工业AC-DC开关电源（SMPS）对于功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换以及工业电源应用的要求。详情/PDF下载 -
WSR10N65F
WSR10N65F是具有极高性能的沟槽N-型MOSFET，具有极高的单元密度。它为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR10N65F符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS（Ease of Assembly，易于装配）保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR20N60
这款Power MOSFET采用了Truesemi公司的先进CoolFET技术制造。这项先进技术经过专门设计，旨在最大限度地减少导通状态下的电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合高压、高效率的开关模式电源供应器，以及基于半桥拓扑结构的主动功率因素校正应用。详情/PDF下载
