TMC2160-EVAL电机驱动评估板
TMC2160-EVAL 是一款高性能步进电机驱动评估板，基于 TMC2160 芯片设计。该评估板集成了 Trinamic 的先进驱动技术，支持 静音驱动、闭环控制 和 高精度定位，适用于工业自动化、机器人、3D打印等高要求场景。
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TMC5240-EVAL电机驱动评估板
TMC5240-EVAL 是 一款高性能步进电机驱动评估板，基于 TMC5240 芯片设计。该评估板集成了 Trinamic 的先进驱动技术，支持 静音驱动、闭环控制 和 高精度定位，适用于工业自动化、机器人、3D打印等高要求场景。详情/PDF下载 -
TMC2130-EVAL电机驱动评估板
TMC2130-EVAL 评估板为开发者提供了完整的TMC2130芯片验证平台，结合静音、高精度和节能三大技术优势，是运动控制项目原型开发的理想选择。其灵活的SPI配置和丰富的保护功能，可大幅缩短产品研发周期。详情/PDF下载 -
TMC5130-EVAL电机驱动评估板
TMC5130-EVAL是一款高性能步进电机驱动评估板，基于 TMC5130 芯片设计，专为高精度、高动态响应的运动控制应用而开发。该评估板集成了 Trinamic 的先进驱动技术，支持静音驱动、闭环控制 和 高精度定位，适用于工业自动化、机器人、3D打印等领域。详情/PDF下载 -
57步进电机驱动控制一体机
57步进电机一体机集电机、编码器、驱动和控制于一体，无需外部脉冲输入。通信速率高，内置精准算法，微步细分，平滑加减速，电流动态调节，有效解决低频振荡、声噪、发热等问题。传感器信号内部直接处理，减轻主控压力，亦可脱机运行。详情/PDF下载 -
42步进电机驱动控制一体机
42步进电机一体机集电机、编码器、驱动和控制于一体，无需外部脉冲输入。通信速率高，内置精准算法，微步细分，平滑加减速，电流动态调节，有效解决低频振荡、声噪、发热等问题。传感器信号内部直接处理，减轻主控压力，亦可脱机运行。详情/PDF下载 -
28步进电机驱动控制一体机
28步进电机一体机集电机、编码器、驱动和控制于一体，无需外部脉冲输入。通信速率高，内置精准算法，微步细分，平滑加减速，电流动态调节，有效解决低频振荡、声噪、发热等问题。传感器信号内部直接处理，减轻主控压力，亦可脱机运行。详情/PDF下载 -
WSE3099
WSP3099是具有最高性能的沟槽P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP3099符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSE9968A
WSE9968A是具有最高性能的T型沟道N-通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSE9968A符合RoHS和绿色产品要求，具有100%保证的EAS认证和已批准的全功能可靠性。详情/PDF下载 -
WSE9968
WSE9968由于其高性能和可靠性，适用于各种需要高效能MOSFET的应用场景，包括但不限于小家电、电源管理、电子设备等。详情/PDF下载 -
WST2002
WST2002是具有最高性能的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WST2002符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2004
漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：400mA
导通电阻(RDS(on)) ：240mΩ@4.5V,400mA 耗散功率(Pd)：150mW
阈值电压(Vgs(th))：1V 输入电容(Ciss@Vds)：88pF@15V
反向传输电容(Crss)：10pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃详情/PDF下载 -
WST6005
The WST6005 是性能最高的沟槽P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大部分小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。The WST6005 符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST6003
漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA
导通电阻(RDS(on)) ：1.2Ω@2.5V,0.3A 耗散功率(Pd)：150mW
栅极电荷量(Qg)：1.5nC@4.5V 工作温度：-55℃~+150℃详情/PDF下载 -
WST6008
WST6008 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WST6008 符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2005
H型是P通道增强模式功率MOSFET，采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产。该器件特别适合低电压应用，尤其是电池供电电路。其小巧轻薄的外形节省了PCB上的空间所有器件在电气上是相同的。- 符合RoHS标准详情/PDF下载 -
WST6006
The WST6006 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST6006 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3032
WST3032 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST3032 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2026
The WST2026 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2026 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2006
The WST2006 是性能最高的沟道N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2006 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载
