WSR22N50F
WSR22N50F是硅N通道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，该技术可减少导通损失，提高开关性能，并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路系统，有助于系统的小型化和提高效率。封装形式为TO-220F，符合RoHS标准。
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WSR60N25
WSR60N25是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）详情/PDF下载 -
WSR25N20G
WSR25N20G是具有最高性能的沟槽N-型MOSFET，具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极充电量。WSR25N20G符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR25N20
WSR25N20是具有最高性能的沟槽N-沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的反向导通门控电阻（RDSON）和栅极充电量。WSR25N20符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR180N15
WSR180N15是具有最高性能的高密度沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。详情/PDF下载 -
WSR150N15
WSR150N15是具有最高性能的沟道N-型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR150N15符合RoHS（限制使用某些有害物质指令）和绿色产品要求，具有100%的EAS（Ease of Assembly，易于装配）保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR180N10
WSR180N10是具有最高性能的高密度沟槽N-型MOSFET，其单元密度极高，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR180N10符合RoHS（栅极驱动器阻抗）和绿色产品要求，具有100%的EAS（Ease of Assembly，易于装配）保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR140N10
WSR140N10是具有最高性能的高密度沟槽N-型MOSFET，其单元密度极高，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR140N10符合RoHS和绿色产品要求，提供100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR80N10
WSR80N10是一款性能优异、应用广泛的N沟道MOSFET，适用于多种高电流、高电压处理电路。详情/PDF下载 -
WSR3710
WSR3710是一款性能优异的中压场效应管，适用于多种高电流处理电路。详情/PDF下载 -
WSR180N08
WSR180N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET，采用极端高密度的单元设计，为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR180N08符合RoHS和绿色产品要求，提供100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR200N08A
WSR200N08A是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）详情/PDF下载 -
WSR140N08
WSR140N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET，采用极高单元密度设计，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。详情/PDF下载 -
WSR80N08
WSR80N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET，采用极高单元密度的设计，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson（导通电阻）和栅极充电量。WSR80N08符合RoHS和绿色产品要求，具备100% EAS（可能是指某种电气参数或特性的保证）保证功能，并通过了可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR130N06
WSR130N06PT采用了先进的SGT MOSFET技术，以提供低RDS（ON）、低栅极电荷、快速开关和优秀的雪崩特性。该设备特别设计以增强其鲁棒性，并适用于高压和大电流条件。详情/PDF下载 -
WSR80N06
WSR80N06采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻），同时具有低栅极电荷。它可以在各种应用中广泛使用。详情/PDF下载 -
WSR60N06D
WSR60N06D采用先进的沟槽技术，并设计以提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)性能。它可以在各种应用场合中广泛使用。详情/PDF下载 -
WSR170N04G
WSR170N04G采用SGT设计和工艺，以提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)性能。它可在多种应用中广泛使用。详情/PDF下载 -
WSR150N04
WSR150N04采用先进的沟槽技术和设计，以提供极佳的RDS(ON)，并具有低栅极电荷。它可以在各种应用中广泛使用。详情/PDF下载 -
WSR3090
WSR3090是具有最高性能的N沟道MOSFET，采用极高单元密度的Trench技术。它提供了极佳的RDS(ON)和栅极充电能力，适用于大多数同步降压转换器应用。WSR3090满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全面功能可靠性认证。详情/PDF下载
