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电子元器件
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SOT-523
SOT-523

WST6003 20V 低压 P 沟道 MOSFET 0.35A 小功率 MOS 管

漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA
导通电阻(RDS(on)) ：1.2Ω@2.5V,0.3A 耗散功率(Pd)：150mW
栅极电荷量(Qg)：1.5nC@4.5V 工作温度：-55℃~+150℃
样品申请
功能特点

特性
TrenchFET® 功率MOSFET：

  • 额定电压：1.8伏
  • 栅源极静电放电（ESD）保护：2000伏
  • 高侧开关
  • 低导通电阻：1.2Ω
  • 低阈值：0.8伏（典型值）
  • 快速切换速度：14纳秒
  • S前缀用于汽车和其他需要独特站点和控制更改要求的应用；已通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。

优势

  • 易于驱动开关
  • 低偏移（错误）电压
  • 低电压操作
  • 高速电路
  • 低电池电压操作
主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压		最大栅源
承受电压		最大漏
源电流		开启阈值电压导通电阻输入
电容		输出
电容		反向传
输电容		封装
Part numberConfigu
ration		TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WST6003SingleP-Ch-20 6 0.3 -0.45 ----800 1200 -     --SOT-523
引脚配置
17440959571700372.png

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