MS35541 双驱运动控制步进芯片
MS35541 是一款带串行接口通信的高精度、低噪声的双通道两相步进电机驱动芯片，宽工作电压范围 4.7V-32V。MS35541 集成自动加减速、无需传感器的负载检测技术以及自适应电流调节等功能。MS35541 集成欠压保护、过流保护、过温保护功能。
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JTW91601
型号：JTW91601 封裝：SOP16 工作电压：2.0V-5.5V
应用场景：台灯/镜前灯/小家电
功能描述：单键输入，单路输出详情/PDF下载 -
MS35779 两相步进电机驱动芯片
MS35779是一款高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片。芯片集成了快速模式与静音模式来满足高速与低速下的不同应用。其中快速模式使用了快速电流整流，可以获得比较好的动态特性。静音模式则具有更低的噪音以及更高的效率。详情/PDF下载 -
JTW92301
型号：JTW92301 封裝：SOP8 工作电压：2.0V-5.5V
应用场景：台灯/镜前灯/小家电
功能描述：单键输入，两路PWM无级调光+双指示灯，带掉电记忆详情/PDF下载 -
MS35776 两相步进电机驱动芯片
MS35776/MS35776A 是一款高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片。芯片集成了快速模式与静音模式来满足高速与低速下的不同应用。芯片内置功率 MOSFET，长时间工作平均电流可以达到 1.4A，峰值电流 2A。芯片集成了欠压保护、过流保护、短地保护、短电源保护、过温保护的保护功能。详情/PDF下载 -
JTW92501
型号：JTW92501 封裝：SOP8 工作电压：2.0V-5.5V
应用场景：台灯/镜前灯/小家电
功能描述：单键输入，三路输出，无调光功能详情/PDF下载 -
MS35777TE 两相步进电机驱动芯片
MS35777是一款高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片。芯片集成了快速模式与静音模式来满足高速与低速下的不同应用。芯片内置功率MOSFET，长时间工作平均电流可以达到1.4A，峰值电流2A。芯片集成了欠压保护、过流保护以及过温保护。过流保护包括短地保护以及短电源保护。详情/PDF下载 -
JTW92601
型号：JTW92601 封裝：SOP16 工作电压：2.0V-5.5V
应用场景：台灯/镜前灯/小家电
功能描述：触摸滑环调节七彩色/4触摸按键+滑条输入详情/PDF下载 -
MS35930 两相步进电机驱动芯片
MS35930 是一款带接口通信的高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片，其集成自动加减速功能和先进的硬件化步进电机驱动程序。芯片内置功率 MOSFET，长时间工作的平均电流可以达到 2A，峰值电流可以达到 2.5A。芯片集成了过温保护、欠压保护、过流保护、短地保护、短电源保护功能。详情/PDF下载 -
JTW92602
型号：JTW92602 封裝：SOP16 工作电压：2.0V-5.5V
应用场景：台灯/镜前灯/小家电
功能描述：1触摸滑条、5触摸按键输入。IIC串口通信输出详情/PDF下载 -
MS35778TE 两相步进电机驱动芯片
MS35778是一款高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片。芯片集成了快速模式与静音模式来满足高速与低速下的不同应用。其中快速模式使用了快速电流整流，可以获得比较好的动态特性。静音模式则具有更低的噪音以及更高的效率。详情/PDF下载 -
JTW92701
型号：JTW92701 封裝：SOP8 工作电压：2.0V-5.5V
应用场景：台灯/镜前灯/小家电
功能描述：七彩渐变（单键，3路PWM输出）详情/PDF下载 -
JTW92801
型号：JTW92801 封裝：SOP8 工作电压：2.0V-5.5V
应用场景：台灯/镜前灯/小家电
功能描述：七彩色（单按键输入，3路PWM输出）详情/PDF下载 -
低/中/高压MOS管选型总参数表
Winsok微硕MOS管系列按耐压等级分为低压（0 ~ 30V）、中压（30~100V）、高压（100V ~800V）三大类别，共计560余款产品，全面覆盖从低压大电流到高压小电流的各种应用场景。
低压系列主打低导通电阻、大电流特性，适用于电池管理、同步整流等场景；中压系列兼顾耐压和导通电阻，广泛用于DC-DC转换；高压系列具备高击穿电压和可靠性，适用于工业电源、逆变器等领域。
提供N沟道、P沟道、双N沟道、双P沟道、N+P沟道等多种沟道类型选择。详情/PDF下载 -
DRV8833PWPR 1.5A 有刷直流电机驱动芯片
DRV8833器件为玩具、打印机和其他机电一体化应用提供双桥电机驱动解决方案。 该器件有两个H桥驱动器，可驱动两个直流有刷电机、一个双极步进电机、螺线管或其他感性负载。 每个H桥的输出驱动模块由配置成H桥的N沟道功率MOSFET组成，用于驱动电机绕组。每个H桥都包含调节或限制绕组电流的电路。 该器件具备带故障输出引脚的内部关断功能，可实现过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护，还提供低功耗睡眠模式。 DRV8833采用带PowerPAD的16引脚WQFN封装详情/PDF下载 -
WSP6958 60V中压 N 沟道MOSFET 15A小功率 MOS管
WSP6958 是一款高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET，具备极高的单元密度，针对绝大多数同步降压转换器应用，拥有优异的导通电阻\(R_{DSON}\)与栅极电荷特性。 WSP6958 符合 RoHS 及绿色产品规范，100% 经过 EAS（单事件雪崩耐受能力）保障，全功能可靠性认证通过。详情/PDF下载 -
LGS5522 同步升压型两节锂电池充电管理IC
LGS5522是一款适用于两节串联锂离子电池的升压型同步升压充电器。充电电流可通过外部电阻进行设置。该器件具有短路充电、涓流充电、恒流充电和恒压充电四个充电阶段：短路充电可对0V电池进行充电；涓流充电可恢复完全放电的电池；恒流充电可快速为电池充电；恒压充电可确保电池安全充满。它支持唤醒深度放电的电池。当电池充满至8.4V后，充电停止并持续监测电池电压，电压降至8.2V时自动重新开始充电。当移除输入电压后，电池端漏电流为25μA。该器件集成了充电和充满提示以及异常状态指示功能。详情/PDF下载 -
NCE65T540K650V 8A 540mΩ N沟道 MOS管
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。详情/PDF下载 -
GS8722-FR 低压低噪声运算放大器
GS8722-FR具有11MHz的高增益带宽积、9V/μs的压摆率，在5V电压下每个放大器的静态电流为1.1mA。GS872X专为在低电压、低噪声系统中提供最佳性能而设计。它们能在重载情况下实现轨到轨输出摆幅。输入共模电压范围包含地，GS872X的最大输入失调电压为3.5mV。它们在扩展工业温度范围（-40℃至+125℃）内有明确的性能指标。工作电压范围为2.1V至5.5V。GS8721单运放提供绿色SC70 - 5、SOT23 - 5和SOP - 8封装。GS8722双运放提供绿色SOP - 8、MSOP - 8、TSSOP - 8和DFN2*2 - 8封装。GS8724四运放提供绿色SOP - 14和TSSOP - 14封装。详情/PDF下载 -
INA333AIDGKR 仪表放大器 1.8-5.5V 50µA低功耗
INA333 是一款低功耗、高精度的仪表放大器，提供出色的精度。其多功能的三运放设计、小巧的尺寸和低功耗使其非常适合各种便携式应用。通过单个外部电阻可以设置从1到1000之间的任何增益。INA333 设计为使用行业标准的增益公式：G = 1 + (100kΩ/RG)。
INA333 提供非常低的失调电压（25µV，G ≥ 100）、优异的失调电压漂移（0.1 µV/°C，G ≥ 100）和高共模抑制比（在 G ≥ 10 时为100dB）。它可以在低至1.8V（±0.9V）的电源下工作，且静态电流仅为50µA——非常适合电池供电系统。采用自动校准技术以确保在整个扩展工业温度范围内具有出色的精度，INA333 还提供了极低的噪声密度（50 nV/√Hz），该特性一直延伸到直流。详情/PDF下载
