111
电子元器件
低中高压MOS管
低中高压MOS管

低/中/高压MOS管选型总参数表

Winsok微硕MOS管系列按耐压等级分为低压(0 ~ 30V)、中压(30~100V)、高压(100V ~800V)三大类别,共计560余款产品,全面覆盖从低压大电流到高压小电流的各种应用场景。
低压系列主打低导通电阻、大电流特性,适用于电池管理、同步整流等场景;中压系列兼顾耐压和导通电阻,广泛用于DC-DC转换;高压系列具备高击穿电压和可靠性,适用于工业电源、逆变器等领域。
提供N沟道、P沟道、双N沟道、双P沟道、N+P沟道等多种沟道类型选择。
功能特点

功能特点

四大核心优势,全方位满足设计需求

全电压覆盖

0.1V到800V全电压范围,覆盖低压到高压应用

🔋

低导通电阻

低压管mΩ级导通电阻,大幅降低导通损耗

🔀

多沟道选择

N/P/双N/双P/N+P五种沟道类型灵活选择

🛡️

高可靠性

雪崩耐量高,ESD防护,工业级可靠性标准

场效应管

快速定位您需要的电压等级

电压等级耐压范围电流范围典型应用代表型号型号数量
低压0 ~ 30V0.1A ~ 250A电池管理、同步整流、负载开关、快充WST2007、WSP4984、WSK250N03245款
中压30 ~ 100V0.1A ~ 120ADC-DC转换、电机驱动、工业电源WST6066、WSD4048DN56、WSD90P06DN56175款
高压100V ~800V0.1A ~ 86A逆变器、高压电源、LED驱动、工业控制WST02N10、WSR70P10、WSD86P10DN56142款


主要参数

沟道类型选择

五种沟道类型,灵活适配不同电路拓扑

N沟道 MOSFET

最常用类型,导通电阻低,成本低,适用于高端和低端开关。

典型应用:降压转换、电机驱动、负载开关

代表型号:WST2026、WSP4984、WSK140N03

P沟道 MOSFET

适用于高端开关,无需驱动电荷泵,简化电路设计。

典型应用:负载开关、电源反向保护、电池管理

代表型号:WST2307、WST4045、WSR70P10

双N沟道 MOSFET

单封装集成两颗N沟道管,节省PCB空间,降低成本。

典型应用:同步降压、半桥驱动、H桥电路

代表型号:WST2007、WSP8212、WSP4888

双P沟道 MOSFET

单封装集成两颗P沟道管,适用于双路高端开关应用。

典型应用:双路负载开关、电源多路切换

代表型号:WSP4953、WSP6077、WSP4077

N+P沟道 MOSFET

单封装集成N沟道+P沟道各一颗,完美适配半桥拓扑。

典型应用:半桥驱动、电机驱动、DC-DC转换

代表型号:WST2038、WSD3067DN56、WSP85N10

带ESD保护 MOSFET

内置ESD保护二极管,提高静电防护能力,增强可靠性。

典型应用:接口电路、热插拔、易受静电影响场景

代表型号:WST3032、WSD6076DN33、WSE9968A

热门型号推荐

精选各电压等级热门型号

低压
WST2026
VDS: 20V
ID(A): 2A
封装: SOT-323-3L
沟道: N沟道
低压
WSK250N03
VDS: 30V
ID(A): 250A
封装: TO-220
沟道: N沟道
中压
WST6066A
VDS: 60V
ID(A): 2.1A
封装: SOT-23-3L
沟道: N沟道
中压
WSD4048DN56
VDS: 40V
ID(A): 34A
封装: DFN5x6-8L
沟道: N+P沟道
高压
WST02N30
VDS: 300V
ID(A): 2A
封装: SOT-23-3L
沟道: N沟道
高压
WSR70P10
VDS: -100V
ID(A): -70A
封装: TO-220-3L
沟道: P沟道

应用场景

广泛应用于各行业领域

🔌
电源管理
⚙️
电机驱动
🔋
电池保护
💡
LED照明
📱
消费电子
🏭
工业控制
🚗
汽车电子
☀️
光伏逆变
快充适配器


低/中/高压MOS管选型表.xlsx