WSP4888
WSP4888是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4888符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。
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WSP8212
WSP8212是性能最高的双沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP8212符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且已经通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP9936
WSP9936是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP9936符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP08N15
WSP08N15是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP08N15符合RoHS和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP16N10
WSP16N10是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP16N10符合RoHS和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP6020
WSP6020是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6020符合RoHS和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP4016
WSP4016是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4016符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP4430
WSP4430是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP4430符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP8814
WSP8814是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP8814符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP2088
WSP2088是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP2088符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP8810A
WSP8810A是一款性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP8810A符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSP8205
WSP8205是一款性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供极佳的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP8205符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
GS3157模拟开关/多路复用器
GS3157是一款具有低导通电阻（4.00Ω）的快速单刀双掷（SPDT）CMOS开关，其工作电压范围为+1.8V至+5.5V。该开关专为低工作电压、高电流的信号门控、斩波、调制或解调以及手机应用的扬声器输出而设计。详情/PDF下载 -
GS3221模拟开关/多路复用器
GS3221是一款具有低导通电阻（1.50Ω）的快速单刀双掷（SPDT）CMOS开关，其工作电压范围为+1.8V至+5.5V。该开关专为低工作电压、高电流的信号门控、斩波、调制或解调（调制解调器）以及手机应用的扬声器输出而设计。详情/PDF下载 -
GS3101模拟开关/多路复用器
GS3101是一款具有低导通电阻（2.50Ω）的快速单刀双掷（SPDT）CMOS开关，其工作电压范围为+1.8V至+5.5V。该开关专为低工作电压、高电流的信号增益、斩波、调制或解调（调制解调器）以及手机应用的扬声器输出而设计。详情/PDF下载 -
GS3005模拟开关/多路复用器
GS3005是一款具有低导通电阻（0.80Ω）的快速单刀双掷（SPDT）CMOS开关，其工作电压范围为+1.8V至+5.5V。该开关专为低工作电压、高电流的信号门控、斩波、调制或解调（调制解调器）以及手机应用的扬声器输出而设计。详情/PDF下载 -
GS4157B模拟开关/多路复用器
GS4157B是一款具有低导通电阻（0.80Ω）的快速单刀双掷（SPDT）CMOS开关，其工作电压范围为+1.8V至+5.5V。该开关专为低工作电压、高电流的信号门控、斩波、调制或解调（调制解调器）以及手机应用的扬声器输出而设计。详情/PDF下载 -
GSV332比较器
GSV332是一款低功耗、高速的比较器，具有内部迟滞功能，专为3V或5V供电的系统进行了优化。该器件具备高速响应、低功耗、低失调电压以及轨到轨的输入和输出范围等特点。详情/PDF下载 -
GSV331R比较器
GSV331R是比较器产品，具备低功耗、高速以及内置迟滞功能的特点，专为3V或5V供电的系统进行了优化。该器件展现出高速响应、低功耗、低失调电压以及轨到轨的输入和输出范围等优势。详情/PDF下载 -
GSV331比较器
GSV331是一款低功耗、高速比较器，内置迟滞功能，专为3V或5V供电系统优化。该器件具有高速响应、低功耗、低失调电压以及轨到轨输入和输出范围。在100mV过驱条件下，传播延迟为70ns，每通道供电电流为46μA。内部输入迟滞可消除由输入噪声电压引起的输出振荡。最大输入失调电压为3mV，工作电压范围为1.8V至5.5V。详情/PDF下载
