WSD2067
WSD2067结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术制造的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且纤薄的外观设计有助于节省印制电路板（PCB）的空间。
电子元器件
功能特点
概述
WSD2067结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术制造的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且纤薄的外观设计有助于节省印制电路板（PCB）的空间。
应用
双向阻断开关
DC-DC转换应用
锂电池充电
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | VGS(th)(v) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSD2067 | Dual+ESD | P-Ch | -20 | 8 | -3.5 | -0.5 | -0.7 | -1.2 | 60 | 99 | 75 | 120 | 420 | 180 | 90 | DFN3X2 | |||||||||||
