WSD1614DN106 20V低压 N沟道 1.4A 小功率MOS管
WSD1614DN采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。
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WSD2010DN25 20V低压 N沟道 11A 中小功率MOS管
WSD2010DN25是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2010DN25符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD2067 20V低压 P沟道 3.5A 小功率MOS管
WSD2067结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术制造的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且纤薄的外观设计有助于节省印制电路板（PCB）的空间。详情/PDF下载 -
WSD2067 20V低压 P沟道 3.5A 小功率MOS管
WSD2067结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术制造的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且纤薄的外观设计有助于节省印制电路板（PCB）的空间。详情/PDF下载 -
WSD2098DN23 20V低压 N沟道 9.7A 中小功率MOS管
WSD2098DN23是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2098DN23符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD2065DN22 20V低压 双P沟道 3.5A小功率MOS管
WSD2065DN22结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术生产的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且薄型的外观节省了PCB的使用空间。详情/PDF下载 -
WSD4280DN22 15V低压 双P沟道 4.6A小功率MOS管
WSD4280DN22结合了采用高单元密度和双极型金属氧化物半导体（DMOS）沟槽技术生产的P沟道增强型功率MOSFET，以及一个低正向电压肖特基二极管。其小巧且薄型的外观节省了PCB的使用空间。详情/PDF下载 -
WSD4018DN22 40V中压 P沟道 18A中小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN26符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD8823DN22 20V低压 P沟道 3.4A小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN25符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD1216DN22 12V低压 P沟道 9.4A中小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN24符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD2054DN22 20V低压 双N沟道 5A中小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN23符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD2018DN22 20V低压 N沟道 12A中小功率MOS管
WSD2018DN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018DN22符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD2018BDN22 12V低压 N沟道 12.3A中小功率MOS管
WSD2018BDN22是性能最高的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSD2018BDN22符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性测试认证。详情/PDF下载 -
WSD23N10DN33 100V高压 N+P沟道 12A中小功率MOS管
WSD23N10DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD23N10DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD3045DN 30V低压 N+P沟道 18A中小功率MOS管
WSD3045DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3045DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD40L48DN33 40V中压 P沟道 30A中功率MOS管
WSD40L48DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD40L48DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD30L68DN33 30V低压 P沟道 68A大功率MOS管
WSD30L68DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30L68DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD20L75DN33 20V低压 P沟道 75A大功率MOS管
WSD20L75DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD20L75DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD6035DN33 60V中压 双N沟道 40A中功率MOS管
WSD6035DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD6035DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD3056DN33 30V低压 双N沟道 35A中功率MOS管
WSD3056DN是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3056DN完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载
