WSF55P06
WSF55P06是具有极高性能的沟槽P型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度。它能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF55P06符合RoHS和绿色产品要求，享有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSF55P06是具有极高性能的沟槽P型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度。它能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF55P06符合RoHS和绿色产品要求，享有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全功能可靠性认证。
特性
● 先进的高单元密度沟槽技术
● 超级低栅极电荷
● 优秀的CdV/dt效应衰减
● 100% EAS保证
● 可提供绿色设备
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSF55P06 | Single | P-Ch | -60 | 20 | -50 | -1 | -1.8 | -3 | 23 | 28 | - | - | 3017 | 180 | 126 | TO-252 | |||||||||||
引脚配置
应用领域
