WSF60N06A
WSF60N06A半导体产品采用了先进的沟槽技术和设计，旨在为用户提供卓越的RDS(on)（导通电阻）性能，并具有低栅极电压降的特点。该产品适用于多种应用领域，能够满足不同的电子设计需求。
电子元器件
功能特点
WSF60N06A半导体产品采用了先进的沟槽技术和设计，旨在为用户提供卓越的RDS(on)（导通电阻）性能，并具有低栅极电压降的特点。该产品适用于多种应用领域，能够满足不同的电子设计需求。
产品优点
- 高密度电极设计：通过优化电极布局和制造工艺，实现了更高的单元密度，从而提高了产品的性能和可靠性。
- 全固态和超导体电压、电流稳定性：采用先进的材料和工艺，确保了产品在各种电压和电流条件下的稳定运行。
- 良好的热沉性能：产品设计考虑了散热需求，通过优化结构和材料选择，提高了产品的热稳定性和使用寿命。
特殊过程技术，以提高ESD能力：采用了特殊的过程技术，增强了产品的静电放电（ESD）承受能力，保护了电路免受静电损伤。
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSF60N06A | Single | N-Ch | 60 | 20 | 60 | 2 | 3 | 4 | 12 | 14 | 15 | 20 | 2498 | 185 | 80 | TO-252 | |||||||||||
引脚配置
应用领域
