AOD4185 P沟道 耐压40V 电流40A MOS管
AOD4185/AOI4185采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。凭借DPAK/IPAK封装卓越的热阻性能,该器件非常适合大电流应用。
电子元器件
功能特点
漏源电压VDS(V) = - 40V
漏极电流ID = - 40A(栅源电压VGS = - 10V)
导通电阻RDS(ON) < 15mΩ(栅源电压VGS = - 10V)
导通电阻RDS(ON) < 20mΩ(栅源电压VGS = - 4.5V)
100%进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试!
100%进行了栅极电阻Rg测试!
| 属性 | 参数值 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF |
| 类型 | P沟道 |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
