FD6187T是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计。
FD6187T内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6187T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6187T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

FD6288Q是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达+250V电压下工作。
FD6288Q内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6288Q内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6288Q内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

FD6288T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达+250V电压下工作。
FD6288T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6288T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6288T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

FD6287T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达+250V电压下工作。
FD6287T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6287T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6287T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

FD6636S是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计，可在高达+600V电压下工作。 FD6636S内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通而产生大电流烧毁功率器件，有效保护功率器件。 FD6636S内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD6636S内置输入噪声滤波功能，防止噪声干扰。 FD6636S集成过流保护功能，并指示欠压和过流故障状态，同时关断六通道输出。 FD6636S集成使能关断功能，同时关断六通道输出。

FD2024S是一款双低端栅极驱动芯片，内置VCC欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。

FD2109S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。
FD2109S内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电源电压下工作而对功率管产生损坏。
FD2109S内置直通防止保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。

FD2103S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。
FD2103S内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
FD2103S内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

FD2203S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET，可在高达+250V电压下工作。
FD2203S内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
FD2203S内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。
FD2203S内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

FD2607S 是高压、高速半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。FD2607S 内置 VCC 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD2607S 内置防直通保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。