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MOS管/SOP封装
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MOS管/TO252封装
MOS管/TO封装
MOS管/SOT封装
低/中/高压MOS管选型总参数表
WSD6070DN56 60V中压 N沟道 80A大功率MOS管
WSD6070DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD6070DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD6040DN56 60V中压 N沟道 36A中功率MOS管
WSD6040DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD6040DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD40190DN56G 40V中压 N沟道 190A超大功率MOS管
WSD40190DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
WSD40190DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD40120DN56G 40V中压 N沟道 120A超大功率MOS管
WSD40120DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
WSD40120DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD4090DN56 40V中压 N沟道 90A 大功率MOS管
WSD4090DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD4090DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD4062DN56 40V中压 N沟道 62A 大功率MOS管
WSD4062DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD4062DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD30350DN56G 30V低压 N沟道 350A 超大功率MOS管
WSD30350DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
WSD30350DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD30300DN56G 30V低压 N沟道 300A 超大功率MOS管
WSD30300DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
WSD30300DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD30150DN56 30V低压 N沟道 150A 超大功率MOS管
WSD30150DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD30150DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD30140DN56 30V低压 N沟道 85A 大功率MOS管
WSD30140DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD30140DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD30100DN56 30V低压 N沟道 100A 超大功率MOS管
WSD30100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD30100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD3042DN56 30V低压 N沟道 40A中功率MOS管
WSD3042DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD3042DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD25280DN56G 25V低压 N沟道 280A超大功率MOS管
WSD25280DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
WSD25280DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD20100DN56 20V低压 N沟道 90A 大功率MOS管
WSD20100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD20100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSP85N10 100V 高压 N+P 沟道 MOSFET 4.5A 小功率 MOS 管
WSP85N10是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管(MOSFET),具备极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSP85N10完全符合RoHS和绿色产品标准,保证100%(EAS),且已通过全功能可靠性测试认证。
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WSP4065 40V 中压 N+P 沟道 MOSFET 10A 中小功率 MOS 管
WSP4065是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷特性。WSP4065完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSP6067A 60V 中压 N+P 沟道 MOSFET 7A 中小功率 MOS 管
WSP6067A是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷特性。WSP6067A完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSP4620 30V 低压 N+P 沟道 MOSFET 8.8A 中小功率 MOS 管
WSP4620是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷特性。WSP4620完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSP4626 20V 低压 N+P 沟道 MOSFET 6.7A 中小功率 MOS 管
WSP4626是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷特性。WSP4626完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%无卤素(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSP6077 60V 中压 双 P 沟道 MOSFET 8A 中小功率 MOS 管
WSP6077是性能最高的沟槽型P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷特性。WSP6077符合RoHS和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
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