WSP4882 30V中压 N沟道MOSFET 8A小功率MOS管
WSP4882是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
电子元器件
电子元器件
联系我们
销售热线：
13360527304
电子邮箱：
thomas@jointwel.com.cn
深圳公司：
深圳市宝安区宝源路1009号互联网产业基地A区5栋4楼3B02/3B06
长沙公司：
长沙市高新区岳麓西大道588号芯城科技园2栋
杭州公司：
杭州市余杭区祥茂路166号华滋科欣设计创意园4栋
微信二维码
-
详情/PDF下载 -
WSF38N06 60V中压 N沟道 45A中功率MOS管
WSF38N06是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSF38N06符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过EAS(能量雪崩耐量)测试,并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSD6060DN56 60V中压 N沟道 65A大功率MOS管
WSD6060DN56 是一款高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD6060DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，通过完整功能可靠性认证，100% 保证无电迁移失效（EAS）。详情/PDF下载 -
OPA2192IDR 36V 精密 轨到轨输入/输出 运算放大器
OPA192系列（OPA192、OPA2192和OPA4192）是新一代36V e-trim运算放大器。 这些器件具有出色的直流精度和交流性能，包括轨到轨输入/输出、低失调（典型值±5 μV）、低失调漂移（典型值±0.2 μV/℃）和10MHz带宽。 独特的特性，如差分输入电压范围可达电源轨、高输出电流（±65 mA）、高达1 nF的高容性负载驱动能力和高压摆率（20 V/μs），使OPA192成为适用于高压工业应用的强大高性能运算放大器。 OPA192系列运算放大器采用标准封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。详情/PDF下载 -
505066-2022 板对板与背板连接器
板对板与背板连接器详情/PDF下载 -
TL431AN 电压基准芯片
TL431 系列 IC 是三端可调并联稳压器，在全部工作范围内具有保证的热稳定性。该系列 IC 具有非常陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中稳压二极管（齐纳二极管）的理想替代品。 TL431 特别适用于工业类应用。
TL431 精密基准提供一种带隙精度档位：A 档：0.5%。
TL431 的工作温度范围为 –40°C 至 125°C。详情/PDF下载 -
WST4045 40V中压 P沟道 4.3A小功率MOS管
WST4045是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷特性。WST4045符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的可靠性认证。详情/PDF下载 -
AOD4185 P沟道 耐压40V 电流40A MOS管
AOD4185/AOI4185采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。凭借DPAK/IPAK封装卓越的热阻性能,该器件非常适合大电流应用。详情/PDF下载 -
MT6826GT-AKD-R 高速 高精度磁性角度编码器IC
MT6826是新一代基于先进的各向异性磁阻技术的高速高精度角度编码器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区，实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6826在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。详情/PDF下载 -
SA8336 单通道 2.0-16.0V 持续电流 7.0A H 桥驱动芯片
SA8336是为多节电池供电系统而设计的单通道低导通电阻直流电机驱动集成电路。集成了电机正转/反转/停止/刹车功能。
SA8336内置过流和输出短路保护功能，当通过MOS电流超过限定值时，内部电路关断MOS功率管，切断负载电流。当电流下降到设定值会自动回复，开启MOS功率管。
SA8336内置温度保护功能，当芯片温度超过内部温度保护电路设置得最高温度点后，内部电路关断内置的功率开关管，切断负载电流。
SA8336具有一个PWM（INA/INB）输入接口，支持与行业标准器件兼容。详情/PDF下载 -
SS34 肖特基二极管 40V 3A 贴片SMC 低正向压降 高浪涌
该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。详情/PDF下载 -
DRV8833PWPR 1.5A 有刷直流电机驱动芯片
DRV8833器件为玩具、打印机和其他机电一体化应用提供双桥电机驱动解决方案。 该器件有两个H桥驱动器，可驱动两个直流有刷电机、一个双极步进电机、螺线管或其他感性负载。 每个H桥的输出驱动模块由配置成H桥的N沟道功率MOSFET组成，用于驱动电机绕组。每个H桥都包含调节或限制绕组电流的电路。 该器件具备带故障输出引脚的内部关断功能，可实现过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护，还提供低功耗睡眠模式。 DRV8833采用带PowerPAD的16引脚WQFN封装详情/PDF下载 -
WSP6958 60V中压 N 沟道MOSFET 15A小功率 MOS管
WSP6958 是一款高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET，具备极高的单元密度，针对绝大多数同步降压转换器应用，拥有优异的导通电阻\(R_{DSON}\)与栅极电荷特性。 WSP6958 符合 RoHS 及绿色产品规范，100% 经过 EAS（单事件雪崩耐受能力）保障，全功能可靠性认证通过。详情/PDF下载 -
LGS5522 同步升压型两节锂电池充电管理IC
LGS5522是一款适用于两节串联锂离子电池的升压型同步升压充电器。充电电流可通过外部电阻进行设置。该器件具有短路充电、涓流充电、恒流充电和恒压充电四个充电阶段：短路充电可对0V电池进行充电；涓流充电可恢复完全放电的电池；恒流充电可快速为电池充电；恒压充电可确保电池安全充满。它支持唤醒深度放电的电池。当电池充满至8.4V后，充电停止并持续监测电池电压，电压降至8.2V时自动重新开始充电。当移除输入电压后，电池端漏电流为25μA。该器件集成了充电和充满提示以及异常状态指示功能。详情/PDF下载 -
NCE65T540K650V 8A 540mΩ N沟道 MOS管
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。详情/PDF下载 -
GS8722-FR 低压低噪声运算放大器
GS8722-FR具有11MHz的高增益带宽积、9V/μs的压摆率，在5V电压下每个放大器的静态电流为1.1mA。GS872X专为在低电压、低噪声系统中提供最佳性能而设计。它们能在重载情况下实现轨到轨输出摆幅。输入共模电压范围包含地，GS872X的最大输入失调电压为3.5mV。它们在扩展工业温度范围（-40℃至+125℃）内有明确的性能指标。工作电压范围为2.1V至5.5V。GS8721单运放提供绿色SC70 - 5、SOT23 - 5和SOP - 8封装。GS8722双运放提供绿色SOP - 8、MSOP - 8、TSSOP - 8和DFN2*2 - 8封装。GS8724四运放提供绿色SOP - 14和TSSOP - 14封装。详情/PDF下载 -
INA333AIDGKR 仪表放大器 1.8-5.5V 50µA低功耗
INA333 是一款低功耗、高精度的仪表放大器，提供出色的精度。其多功能的三运放设计、小巧的尺寸和低功耗使其非常适合各种便携式应用。通过单个外部电阻可以设置从1到1000之间的任何增益。INA333 设计为使用行业标准的增益公式：G = 1 + (100kΩ/RG)。
INA333 提供非常低的失调电压（25µV，G ≥ 100）、优异的失调电压漂移（0.1 µV/°C，G ≥ 100）和高共模抑制比（在 G ≥ 10 时为100dB）。它可以在低至1.8V（±0.9V）的电源下工作，且静态电流仅为50µA——非常适合电池供电系统。采用自动校准技术以确保在整个扩展工业温度范围内具有出色的精度，INA333 还提供了极低的噪声密度（50 nV/√Hz），该特性一直延伸到直流。详情/PDF下载 -
0915LP15B026E ISM 915MHz频段用 低通滤波器 902-928MHz
0915LP15B026E 是美国 Johanson Technology 生产的高频陶瓷低通滤波器（Low Pass Filter），通带覆盖 902~928MHz 的 ISM 频段，典型用于 915MHz 射频前端。插入损耗最大仅 0.5dB，回波损耗不低于 14dB，对 2 倍频（1830MHz）和 3 倍频（2745MHz）谐波提供至少 30dB 抑制，最大可承受 3W 输入功率，标称阻抗 50Ω。器件采用 2.0×1.25×0.85mm 陶瓷贴片封装（0805 尺寸）、100% 锡端头，工作温度 -40℃~+85℃，符合无铅回流焊要求。后缀 E 表示编带卷装，每盘 4000 只。适用于 ISM 915MHz 频段（如 LoRa/Sigfox 等）射频前端输出滤波与谐波抑制。详情/PDF下载 -
BPW 34 FS 光电二极管 950nm 红外接收 PIN型 带滤光片
BPW 34 FS-Z 是欧司朗（OSRAM Opto Semiconductors）生产的硅 PIN 光电二极管，属于 BPW34 家族的带日光阻挡滤光片（Daylight Blocking Filter）版本，专为 780~1100nm 近红外波段探测设计，峰值灵敏度 950nm。器件采用黑色环氧 DIL SMT 封装，光敏面积 7.02mm²，光电流典型值 50µA（Ee=1mW/cm²，λ=950nm，VR=5V），灵敏度 0.7A/W，响应时间典型仅 20ns。产品认证测试计划基于 AEC-Q102 指南，符合汽车级可靠性要求，并支持无铅回流焊。适用于红外光栅、机器视觉、工业自动化控制和测量调平等场景，通常搭配 940~950nm 红外 LED 使用。详情/PDF下载 -
MD85E33PA1 高压LDO稳压器 40V输入 3.3V输出 300mA 超低静态电流
MD85E33PA1是一款采用CMOS工艺制造的高压（最高40V）超低静态电流低压差线性稳压器（LDO）。它能够提供高达300mA的电流，而静态电流仅为1.5μA。它由基准电压发生器、误差放大器、折返式限流电路、相位补偿电路和驱动晶体管组成。MD85XX专为对超低静态电流（IQ）有严格要求的应用而设计。即使在压差模式下，该器件也能保持低静态电流消耗，从而进一步延长电池使用寿命。在关断或禁用模式下，即使输入电压为40V，器件的静态电流（IQ）也小于100nA，有助于延长电池的储存寿命。详情/PDF下载
