MS8333-1S2 3μV VOS 零温漂 极低功耗 CMOS 运算放大器
MS8333是一款轨到轨输入输出的零温漂运算放大器，具有低失调、低温漂、低功耗、高单位增益带宽、高压摆率的特性。在5V的供电下，每个通道的静态电流只有8μA。
MS8333可以工作在1.8V至5.5V的单电源以及±0.9V至±2.75V的双电源。
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MS8361S 精密 低噪 轨到轨输入输出运算放大器
MS836X 是单通道和双通道的轨到轨输入输出单电源供电运放。它们具有低失调电压、低输入电压电流噪声和宽信号带宽。低失调、低噪、低输入偏置电流和宽带宽的特性结合使得 MS836X 运放适用于各种应用。其优异的性能能够应用于滤波器、积分器、光电放大器和高阻抗传感器等领域。 MS836X 的工作温度范围在-40°C 到 125°C。详情/PDF下载 -
MS8092 350MHz 轨到轨运算放大器
MS809x 系列是易用、低成本的轨到轨运算放大器，它具有典型电流反馈放大器具备的带宽和快转换速率优势，同时也有较大的共模输入范围和输出摆幅，这使它很容易在低压情况下工作。虽然 MS809x 成本低，但却有着出色的性能。它提供高达 350MHz(G=+1)的带宽，同时 0.1dB 平坦度带宽也达到 125MHz(G=+1)，而且每个放大器只需4.3mA 的功耗。 MS809x 系列的低失真、快速建立时间的特性，使其成为高速 A/D 或D/A 缓存的理想器件。MS809x 的电源关断特性可以减小功耗到 75μA。这些特性使得 MS809x 成为便携设备和电池供电应用的理想选择。MS809x 系列的工作温度范围为-40°C 到 125°C。详情/PDF下载 -
MS81868-2 36V高精度 零温漂 低噪声运算放大器
MS81868是一款高压高精度低噪声的运算放大器。其工作电压可以在单电源下从4V到36V或者双电源下从±2V到±18V。
MS81868采用高压斩波技术来实现零温漂的特性。与同类产品相比，斩波频率谐波上的毛刺大幅度减小。该器件具有宽工作电压、高开环增益、高共模抑制比，优异的直流和交流精度，可以广泛的应用于在宽温范围内需要高精度测量的各种应用场景。
MS81868输入共模电压范围包括负电源轨，输出电压范围为轨到轨。工作温度范围为-40℃至+125℃。详情/PDF下载 -
MS8606 精密 低噪 CMOS 轨到轨输入输出运算放大器
MS8606 是双通道的轨到轨输入输出单电源供电运放。它们具有低的失调电压、低的输入电压电流噪声和宽的信号带宽。低失调、低噪、低输入偏置电流和宽带宽的特性结合使得 MS860X 运放适用于各种应用。其优异的性能能够应用于滤波器、积分器、光电放大器和高阻抗传感器，音频和一些 AC 应用得益于其宽带宽和低失真特性。MS860X 的工作温度范围在-40°C 到 125°C。详情/PDF下载 -
MS8605 精密 低噪 CMOS 轨到轨输入输出运算放大器
MS8605 是单通道的轨到轨输入输出单电源供电运放。它们具有低的失调电压、低的输入电压电流噪声和宽的信号带宽。其优异的性能能够应用于滤波器、积分器、光电放大器和高阻抗传感器，音频和一些 AC 应用得益于其宽带宽和低失真特性。详情/PDF下载 -
MS8188-2M 36V高精度 零温漂 低噪声运算放大器
MS8188是一款36V高精度低噪声的运算放大器。采用高压斩波技术来实现零温漂的特性。与同类产品相比，斩波频率谐波上的毛刺大幅度减小。出色的DC精度还包括高电源抑制比、高共模抑制比和高开环增益。输入共模电压范围包括负电源轨，输出电压范围为轨到轨。 MS8188 核心优势在于其综合性能指标的领先，尤其是在超高精度、低噪声、低斩波纹波和温度稳定性方面，使其可以广泛应用在对宽温范围下有高精密测量需求的应用场景。详情/PDF下载 -
MS8362M 精密 低噪 轨到轨输入输出运算放大器
MS8361、MS8362 是单通道和双通道的轨到轨输入输出单电源供电运放。它们具有低的失调电压、低的输入电压电流噪声和宽的信号带宽。低失调、低噪、低输入偏置电流和宽带宽的特性结合使得 MS836X 运放适用于各种应用。其优异的性能能够应用于滤波器、积分器、光电放大器和高阻抗传感器，音频和一些 AC 应用得益于其宽带宽和低失真特性。MS836X 的工作温度范围在-40°C 到 125°C详情/PDF下载 -
MS8613 低功耗 低噪声 CMOS 轨到轨输入输出运算放大器
MS8613/8617/8619 运算放大器具有极低功耗，轨到轨输入输出，低的输入电压和低的电流噪声。具体表现在可工作在幅度为 1.8V 到 5V 的单电源或者双电源条件，低功耗和低噪声使得MS8613/8617/8619 能够用在可移动设备上，输入输出的轨到轨摆幅的特性能够被设计者用于 CMOS、ADCs、DACs、ASICs 的缓冲或其他对低功耗宽输出摆幅的系统。详情/PDF下载 -
MS8333-2M 零温漂、极低功耗 CMOS 运算放大器
MS8333是一款轨到轨输入输出的零温漂运算放大器，具有低失调、低温漂、低功耗、高单位增益带宽、高压摆率的特性。在5V的供电下，每个通道的静态电流只有28μA。MS8333可以工作在1.8V至5.5V的单电源以及±0.9V至±2.75V的双电源详情/PDF下载 -
FD6187T 三独立半桥栅极驱动集成电路芯片
FD6187T是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计。
FD6187T内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6187T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6187T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。详情/PDF下载 -
FD6288Q 三独立半桥栅极驱动集成电路芯片
FD6288Q是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达+250V电压下工作。
FD6288Q内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6288Q内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6288Q内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。详情/PDF下载 -
FD6288T 独立半桥栅极驱动集成电路芯片
FD6288T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达+250V电压下工作。
FD6288T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6288T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6288T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。详情/PDF下载 -
FD6287T 三独立半桥栅极驱动集成电路芯片
FD6287T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达+250V电压下工作。
FD6287T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6287T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。
FD6287T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。详情/PDF下载 -
FD6636S 三独立半桥栅极驱动集成电路芯片
FD6636S是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计，可在高达+600V电压下工作。 FD6636S内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通而产生大电流烧毁功率器件，有效保护功率器件。 FD6636S内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD6636S内置输入噪声滤波功能，防止噪声干扰。 FD6636S集成过流保护功能，并指示欠压和过流故障状态，同时关断六通道输出。 FD6636S集成使能关断功能，同时关断六通道输出。详情/PDF下载 -
FD2024S 双低端栅极驱动芯片
FD2024S是一款双低端栅极驱动芯片，内置VCC欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。详情/PDF下载 -
FD2109S 半桥栅极驱动电路芯片
FD2109S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。
FD2109S内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电源电压下工作而对功率管产生损坏。
FD2109S内置直通防止保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。详情/PDF下载 -
FD2103S 半桥栅极驱动电路芯片
FD2103S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。
FD2103S内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
FD2103S内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。详情/PDF下载 -
FD2203S 半桥栅极驱动电路芯片
FD2203S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET，可在高达+250V电压下工作。
FD2203S内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
FD2203S内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。
FD2203S内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。详情/PDF下载 -
FD2607S 是高压高速半桥栅极驱动芯片
FD2607S 是高压、高速半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。FD2607S 内置 VCC 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD2607S 内置防直通保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。详情/PDF下载
