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电子元器件
TO-252
TO-252

WSF60100

​WSF60100是一款高能效的沟槽N型MOSFET,专为高性能应用而设计。该产品凭借其极高的栅极电荷密度、出色的RDS(ON)(导通电阻)以及同步整流器应用中的卓越门控能力,赢得了市场的广泛认可。
功能特点

WSF60100是一款高能效的沟槽N型MOSFET,专为高性能应用而设计。该产品凭借其极高的栅极电荷密度、出色的RDS(ON)(导通电阻)以及同步整流器应用中的卓越门控能力,赢得了市场的广泛认可。


特性

  • 先进的沟槽N型MOSFET技术:采用最新的制造工艺,实现了更高的单元密度和更低的导通电阻。
  • 低阈值电压:降低了器件的开启电压,有助于减少能量损耗,提高整体效率。
  • 优秀的RDS(ON):极低的导通电阻,进一步降低了能量损耗,提升了器件的性能。
  • 良好的CDV/DT效应下降:有效降低了由快速电压变化引起的栅极电流,增强了器件的稳定性。
  • 100% EAS保证:通过了严格的电气应力测试,确保了产品的功能可靠性和长期稳定性。
  • 绿色设备可用性:符合环保标准,采用无铅和其他有害物质的制造工艺,体现了对环境的承诺。


主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WSF60100SingleN-Ch60 20 98 5.3 6.4 --4055 346 180 TO-252
引脚配置
17440153979258597.png

应用领域
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