WSP6055
WSP6055是性能卓越的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6055符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSP6055是性能卓越的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSP6055符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。
特点：
先进的高单元密度沟槽技术
超低栅极电荷
优异的CdV/dt效应衰减
保证100%（EAS）
提供绿色器件选项
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | RDS(ON)(mΩ) | VGS(th)(v) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSP6055 | Dual | P-Ch | -55 | 20 | -6.8 | -1 | -1.6 | -2.5 | 108 | 125 | 125 | 155 | 531 | 59 | 38 | SOP-8 | |||||||||||
引脚配置
应用领域
