CC2640R2FRHBR

产品特色  
微控制器  
强大的ARM Cortex-M3  
EEMBC CoreMark分数：142  
最高达48MHz的频率速度  
275KB非挥发性内存，包括128KB的系统内可编程闪存  
最高达28KB的系统SRAM，其中20KB为超低泄漏SRAM  
8KB SRAM，用作快取或系统RAM  
2引脚cJTAG和JTAG调试  
支持无线升级(OTA) 
超低功耗感测控制器  
可在系统其他部分休眠时自主运行  
16位架构  
2KB超低泄漏SRAM，可用于程式代码与数据  
高效率代码大小架构，在ROM中装载驱动程序、TI-RTOS以及蓝牙?软件，为应用程序提供更多闪存  
封装符合RoHS标准 
2.7mm×2.7mm YFV DSBGA34封装(14个GPIO)  
4mm×4mm RSM VQFN32封装(10个GPIO)  
5mm×5mm RHB VQFN32封装(15个GPIO)  

本公司有代理TMC电机芯片，可实现多种功能，如有需要请与我们联系