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BSC072N08NS5ATMA1

产品名称
BSC072N08NS5ATMA1
型号
BSC072N08NS5ATMA1
封装
PG-TDSON-8
产品概述
SC072N08NS5ATMA1 MOSFET N-Ch 80V 74A TDSON-8
详细说明




技术参数

品牌:        Infineon/英飞凌
型号:BSC072N08NS5ATMA1
批号:20+
封装:  PG-TDSON-8
数量:  10000
产品种类:MOSFET
RoHS: 
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体: G-TDSON-8
晶体管极性:

N-Channel

通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:80 V
Id-连续漏极电流:74 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:  2.2 V
Qg-栅极电荷: 24 nC
最小工作温度:     - 55 C
最大工作温度:   + 150 C
Pd-功率耗散:    69 W
通道模式:  Enhancement
商标名:     OptiMOS
封装:      Cut Tape
封装:    MouseReel
封装:   Reel
配置: Single
高度:   1.27 mm
长度:    5.9 mm
系列:   OptiMOS 5
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:     5.15 mm
商标:     Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:      31 S
下降时间:  5 ns
产品类型:      MOSFET
上升时间:        7 ns
工厂包装数量:      5000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:      19 ns
典型接通延迟时间:10 ns
零件号别名:        BSC072N08NS5 SP001232628
单位重量:   506.600 mg


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来源:http://www.jointwel.com.cn/product788854.html
时间:2021/12/1 11:58:51
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